參數(shù)資料
型號： FDN359
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： N溝道MOSFET的邏輯電平PowerTrenchTM
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 264K
代理商： FDN359
FDN359AN Rev.C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
2
4
6
8
10
12
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
3.5V
3.0V
2.5V
6.0V
4.5V
0
2
4
6
8
10
12
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 3.0V
3.5V
6.0V
4.5V
10V
4.0V
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = 10 V
I = 2.7 A
R
D
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 5V
T = -55°C
Figure 5. Transfer Characteristics.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
15
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
A
25°C
-55°C
V = 0V
0
2
4
6
8
10
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
T = 25°C
I = 1.3A
T = 125°C
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Figure 4. On-Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDN359AN N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDN360 Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET
FDN360P Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET
FDN361BN 30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDN361 N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDN359AN 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDN359AN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23
FDN359AN-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN359AN Series 30 V 0.046 Ohm N-Channel Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
FDN359BN 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDN359BN"F095 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 30V 0.026OHM 2.7A SUPER 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 0.026OHM, 2.7A, SUPER
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*