型號: | FDN335 |
廠商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
中文描述: | N溝道MOSFET的2.5V的指定PowerTrenchTM |
文件頁數(shù): | 8/8頁 |
文件大?。?/td> | 210K |
代理商: | FDN335 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FDN335N | N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
FDN336 | Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
FDN336P | Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
FDN337N | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
FDN338 | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FDN335N | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDN335N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
FDN335N_NL | 功能描述:MOSFET N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDN335N_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDN335N-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN335N Series 20 V 0.07 Ohm N-Channel 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 |