參數(shù)資料
型號： FDN335
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： N溝道MOSFET的2.5V的指定PowerTrenchTM
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 210K
代理商： FDN335
F
FDN335N Rev. C
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 1.7A
V
GS
= 4.5V
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
0.24
1
2
3
4
5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 0.85A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 4.5V
3.0V
2.5V
2.0V
1.5V
3.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
2
4
6
8
10
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 2.0V
2.5V
4.0V
3.5V
4.5V
3.0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
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PDF描述
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