參數(shù)資料
型號(hào)： FDN302P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： CAP CER 2.2UF 16V 10% X5R 1206
中文描述： 2400 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 103K
代理商： FDN302P
FDN302P Rev C(W)
Typical Characteristics
0
3
6
9
12
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-2.0V
-2.5V
-4.0V
-3.5V
V
GS
= -4.5V
-3.0V
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
3
6
9
12
15
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.0V
-4.0V
-2.5V
-4.5V
-3.0V
-3.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -2.4A
V
GS
= -4.5V
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -1.2 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
2
4
6
8
10
12
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
V
DS
= - 5V
-55
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDN304PZ P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDN304P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDN306P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDN308P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDN327N N-Channel 1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDN302P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SSOT-3 PCH 20V :ROHS COMPLIANT
FDN302P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDN302P_Q 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDN304P 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDN304P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-23
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*