參數(shù)資料
型號(hào)： FDMA2002NZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 2900 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-229VCCC
封裝： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, HALOGEN FREE, ROHS COMPLIANT, MICROFET-6
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 131K
代理商： FDMA2002NZ
FDMA2002NZ Rev B(W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
1
2
Q
g
, GATE C3
4
5
6
V
G
,
I
D
= 2.9A
V
DS
= 10V
15V
20V
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s1s100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 193
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms1ms
100us
0
0.0001
3
6
9
12
15
0.001
0.01
0.1
t
1
, TIME (sec)
1
10
100
1000
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 193°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
=193°C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FDMA420NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 20V, 5.7A, 30m Ohm
FDMA430NZ_0609 Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 5.0A, 40mз
FDMA430NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDMA291P_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel 1.8V Specified PowerTrench㈢ MOSFET
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