參數(shù)資料
型號(hào)： FDJ1032C
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Plug-In Relay; Contacts:DPDT; Contact Carry Current:12A; Coil Voltage AC Max:120V; Relay Mounting:Plug-In; Relay Terminals:8-Pin Octal; Relay Options:Hermetically Sealed; Coil Resistance:9100ohm; Contact Carrying Power:1.2W RoHS Compliant: Yes
中文描述： 3.2 A, 20 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： FLMP, SC-75, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大小： 650K
代理商： FDJ1032C
4
www.fairchildsemi.com
FDJ1032C Rev. B1(W)
F
Typical Characteristics : Q1
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
=-4.5V
-3.0V
-3.5V
-1.8V
-2.5V
-2.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
0
2
4
6
8
10
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
=-1.8V
-3.0V
-3.5V
-4.5V
-4.0V
-2.5V
-2.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
R
D
,
I
D
= -2.8A
V
GS
= -4.5V
0.08
0.14
0.2
0.26
0.32
0.38
0.44
0.5
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -1.4A
T
A
= 125
°
C
T
A
= 25
°
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
1
2
3
4
5
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
°
C
25
°
C
125
°
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
V
GS
=0V
T
A
= 125
°
C
25
°
C
-55
°
C
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
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FDJ129P P-Channel -2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET
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