參數(shù)資料
型號： FDI33N25
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： 250V N-Channel MOSFET
中文描述： 250V N溝道MOSFET
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 824K
代理商： FDI33N25
7
www.fairchildsemi.com
FDB33N25 / FDI33N25 Rev A
F
Mechanical Dimensions
D2-PAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDI33N25TU 250V N-Channel MOSFET
FDI3652 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз
FDP3652 CAP CER .39UF 50V 10% X7R 1206
FDB3652 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз
FDI8442 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDI33N25TU 功能描述:MOSFET TBD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDI3632 功能描述:MOSFET 100V 80a 0.009 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDI3632FS 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDI3652 功能描述:MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDI40KIT 838362 功能描述:SOFTWARE TOOL KIT FDI40KIT BDL RoHS:否 類別:編程器，開發(fā)系統(tǒng) >> 過時/停產(chǎn)零件編號 系列:- 標準包裝:1 系列:- 傳感器類型:CMOS 成像，彩色（RGB） 傳感范圍:WVGA 接口:I²C 靈敏度:60 fps 電源電壓:5.7 V ~ 6.3 V 嵌入式:否 已供物品:成像器板 已用 IC / 零件:KAC-00401 相關(guān)產(chǎn)品:4H2099-ND - SENSOR IMAGE WVGA COLOR 48-PQFP4H2094-ND - SENSOR IMAGE WVGA MONO 48-PQFP
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