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參數資料
| 型號： | FDG8850NZ |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| 中文描述： | 750 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 329K |
| 代理商： | FDG8850NZ |
F
M
www.fairchildsemi.com
4
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG8850NZ Rev.B
Figure 7.
0.0
0.2
0.4
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V
DD
= 10V
V
DD
= 15V
V
G
,
V
DD
= 5V
ID = 0.22A
Gate Charge Characteristics
Figure 8.
0.1
1
10
1
10
100
200
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
rss
C
oss
C
iss
30
Capacitance vs Drain
to Source Voltage
Figure 9.
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
0.005
4
100
μ
s
1ms
1s
DC
100ms
10ms
SINGLE PULSE
T
J
= MAX RATED
R
θ
JA
= 41
5
T
A
=
25
O
C/W
O
C
I
D
,
V
DS
, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Forward Bias Safe
Operating Area
r
DSon
LMTED
Figure 10.
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
R
θ
JA
= 415
T
A
= 25
O
C
O
C/W
SINGLE PULSE
50
P
(
,
t, PULSE WIDTH (s)
Single Pulse Maximum Power
Dissipation
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
R
θ
JA
= 415
o
C/W
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
N
I
θ
J
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P
DM
t
1
t
2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
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PDF描述 |
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