參數(shù)資料
型號： FDG6308
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： P溝道MOSFET的1.8指定的PowerTrench
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： FDG6308
FDG6308P Rev B (W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -0.6A
V
DS
= -5V
-15V
-10V
0
40
80
120
160
200
0
4
8
12
16
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 415
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
0.0001
6
12
18
24
30
0.001
0.01
0.1
1
10
100
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 415
o
C/W
T
A
= 25
o
C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JA
= 415 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDG6308P CAP CER 68000PF 250V X7R 1206
FDG6313N Dual N-Channel, Digital FET
FDG6316 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDG6316P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
FDG6308P 功能描述:MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG6308P_Q 功能描述:MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG6313 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
FDG6313N 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Ch Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG6313N_NL 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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