參數(shù)資料
型號(hào)： FDG330P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： CAP CER 47PF 1KVDC U2J 1206
中文描述： 2000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 150K
代理商： FDG330P
FDG330P Rev D (W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -2A
V
DS
= -4V
-6V
-8V
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
2
4
6
8
10
12
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 260
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
2
4
6
8
10
0.01
0.1
1
10
100
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 260°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 260
o
C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDG332PZ P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -20V, -2.6A, 97mヘ
FDG361N CAP CER 68PF 1KVDC U2J 1206
FDG6301N Dual N-Channel, Digital FET
FDG6302 Dual P-Channel, Digital FET
FDG6302P Dual P-Channel, Digital FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDG330P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
FDG330P_Q 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG332PZ 功能描述:MOSFET -20V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG361N 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Specified 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FD-G4 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:THRU-BEAM TYPE FIBER
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