參數(shù)資料
型號： FDG314P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Digital FET, P-Channel
中文描述： 650 mA, 25 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： FDG314P
F
FDG314P Rev.C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R =260°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0
0.0001
6
12
18
24
30
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 260
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -0.5A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0
30
60
90
120
150
0
5
10
15
20
25
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 260
o
C/W
T
A
= 25
o
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDG315 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDG315N CAP CER 100PF 630VDC U2J 1206
FDG316P CAP CER 1000PF 630VDC U2J 1206
FDG326 CAP CER 150PF 630VDC U2J 1206
FDG326P CAP CER 220PF 630VDC U2J 1206
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDG314P_Q 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG315 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDG315N 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG316P 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG318P 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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