參數資料
型號： FDFS6N303
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 6 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數： 3/5頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： FDFS6N303
FDFS6N303 Rev. D1
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
.
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature
.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Figure 4. On-Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
25
30
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
3.5V
3.0V
4.5V
4.0V
5.0V
6.0V
0
5
10
I , DRAIN CURRENT (A)
15
20
25
30
0.5
1
1.5
2
2.5
3
D
V = 4.0V
10V
5.0V
4.5V
6.0V
7.0V
R
D
2
4
6
8
10
0
0.025
0.05
0.075
0.1
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
25°C
I = 3A
T = 125°C
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
25
30
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 5V
T = -55°C
A
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
30
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
A
25°C
-55°C
V = 0V
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = 10V
I = 6A
R
D
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