參數(shù)資料
型號： FDFM2N111
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
中文描述： 4000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： 3 X 3 MM, MLP-6
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 289K
代理商： FDFM2N111
F
FDFM2N111 Rev.
C2
(W)
5
Figure 7.
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 4A
V
DS
= 5V
15V
10V
Gate Charge Characteristics
Figure 8.
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
4
8
12
16
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Capacitance Characteristics
Figure 9.
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
F
, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
,
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
Schottky Diode Forward Voltage
Figure 10.
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
0
5
10
15
20
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
,
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 100
o
C
Schottky Diode Reverse Current
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
Typical Characteristics
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PDF描述
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