參數(shù)資料
型號(hào)： FDD8447L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 54A, 8.5mOhm
中文描述： 21 A, 40 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 147K
代理商： FDD8447L
FDD8447L Rev. B(W)
www.fairchildsemi.com
Typical Characteristics
0
20
40
60
80
100
0
0.5
1.5
2
2.5
V
DS
, DRAI1
I
D
,
3.5V
4.0V
V
GS
= 10V
3.0V
5.0V
4.5V
6.0V
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
0
20
40
60
80
100
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
N
D
V
GS
= 3.0V
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
10.0V
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
C)
I
D
= 14A
V
GS
= 10V
0.005
0.0075
0.01
0.0125
0.015
0.0175
0.02
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
r
D
,
I
D
= 7A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage
0
20
40
60
80
100
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
F
M
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PDF描述
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