參數(shù)資料
型號： FDD7N20TM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel MOSFET
中文描述： 5 A, 200 V, 0.69 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-252AB, DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 310K
代理商： FDD7N20TM
F
FDD7N20 / FDU7N20 Rev. A
www.fairchildsemi.com
4
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature vs. Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
* Notes :
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature
[
o
C
]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
* Notes :
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 2.5A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature
[
o
C
]
1
10
100
0.01
0.1
1
10
50
20
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
* Notes :
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3. Single Pulse
500
DC
25
50
T
C
, Case Temperature
[
o
C
]
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
I
D
,
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
0.1
1
0.01
0.1
0.2
0.05
0.02
* Notes :
1. Z
θ
JC
(t) = 2.9
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.5
Single pulse
T
[
Z
θ
J
]
Rectangular Pulse Duration [sec]
5
t
1
P
DM
t
2
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