參數(shù)資料
型號： FDD7N20TM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel MOSFET
中文描述： 5 A, 200 V, 0.69 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-252AB, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 310K
代理商： FDD7N20TM
F
FDD7N20 / FDU7N20 Rev. A
www.fairchildsemi.com
3
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
and Temperature
1.5
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
Figure 5. Capacitance Characteristics
500
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Figure 6. Gate Charge Characteristics
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
20
25
* Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
=
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
I
D
,
V
DS
,Drain-Source Voltage[V]
0.04
4
6
8
10
12
1
10
-55
o
C
150
o
C
* Notes :
1. V
DS
= 25V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
o
C
I
D
,
V
GS
,Gate-Source Voltage[V]
20
0.0
0.7
1.4
2.1
2.8
3.5
1
10
100
200
Notes:
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
150
o
C
I
S
,
V
SD
, Body Diode Forward Voltage [V]
25
o
C
0.2
0
2
4
6
8
10
0.3
0.6
0.9
1.2
* Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
[
Ω
]
,
D
I
D
, Drain Current [A]
0.1
1
10
0
100
200
300
400
C
oss
C
iss
* Note:
1. V
GS
= 0V
2. f = 1MHz
C
rss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
30
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
V
DS
= 160V
V
DS
= 100V
* Note : I
D
= 7A
V
DS
= 50V
V
G
,
Q
g
, Total Gate Charge [nC]
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