參數(shù)資料
型號(hào)： FDD16AN08A0
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 16mз
中文描述： 9 A, 75 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大小： 242K
代理商： FDD16AN08A0
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD16AN08A0 Rev. A1
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
T
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
0.9
1.0
1.1
-80
-40
0
40
80
120
160
200
1.2
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
100
1000
0.1
1
10
5000
75
50
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 40V
I
D
= 50A
I
D
= 10A
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DESCENDING ORDER:
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FDD16AN08LA0 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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