參數(shù)資料
型號(hào)： FDD14AN06LA0
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 14.6m???
中文描述： 9.5 A, 60 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大小： 227K
代理商： FDD14AN06LA0
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD14AN06LA0 Rev. C
F
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDD14AN06LA0 2 1 3 ;
Ca 12 8 1.5e-9
Cb 15 14 1.5e-9
Cin 6 8 28.5e-10
rev January 2004
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 64.8
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 5e-9
Ldrain 2 5 1.00e-9
Lsource 3 7 2e-9
RLgate 1 9 50
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 20
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 4.2e-3
Rgate 9 20 2.7
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 4e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*200),3))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=15e-12 RS=3.2e-3 N=1.05 TRS1=1.5e-3 TRS2=1e-6
+ CJO=10e-10 TT=1.5e-8 M=0.58 IKF=15.00 XTI=3)
.model dbreakmod d (RS=1e-1 TRS1=1.12e-3 TRS2=1.25e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=80e-11 IS=1e-30 N=10 M=0.57)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=2 KP=8 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=2.7)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=2.45 KP=105 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=1.61 KP=0.04 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=27 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=0.92e-3 TC2=-0.35e-6)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=7.92e-3 TC2=3.4e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=2.8E-3 TC2=1E-7)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=4.0e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-2.5e-3 TC2=-1e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-2.3e-3 TC2=1.5e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4 VOFF=-3)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-3 VOFF=-4)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2.5 VOFF=-0.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.5 VOFF=-2.5)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
18
22
+
-
6
8
+
-
5
51
+
-
19
8
+
-
17
18
-
6
8
+
-
5
8
+
-
RBREAK
RVTEMP
19
VBAT
RVTHRES
IT
17
18
22
12
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
14
8
13
8
14
13
MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
11
7
LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
16
21
8
MMED
MSTRO
DRAIN
2
LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ESLC
RSLC1
51
10
5
50
RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
9
ESG
LGATE
RLGATE
20
+
-
+
6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD16AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 16mз
FDD20AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD24AN06LA0 N CHANNEL LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET
FDD2512 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD2570 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDD14AN06LA0_F085 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD14AN06LA0_Q 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD15_10 制造商:CHINFA 制造商全稱:Chinfa Electronics Ind. Co., Ltd. 功能描述:DC - DC CONVERTER
FDD15-03S1 制造商:CHINFA 制造商全稱:Chinfa Electronics Ind. Co., Ltd. 功能描述:DC - DC CONVERTER
FDD15-03S2 制造商:CHINFA 制造商全稱:Chinfa Electronics Ind. Co., Ltd. 功能描述:DC - DC CONVERTER 10 ~ 15W SINGLE & DUAL OUTPUT
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