參數(shù)資料
型號(hào)： FDD14AN06LA0
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 14.6m???
中文描述： 9.5 A, 60 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
文件大?。?/td> 227K
代理商： FDD14AN06LA0
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD14AN06LA0 Rev. C
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
100
1000
0.1
1
10
60
5000
50
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 30V
I
D
= 50A
I
D
= 10A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
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PDF描述
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參數(shù)描述
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