參數(shù)資料
型號(hào)： FDC653N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 5000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： FDC653N
FDC653N Rev.B
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.1
0.3
1
3
10
30
50
100
200
500
1000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical And Thermal Characteristics
0
2
4
6
8
10
12
14
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 5.0A
D
V = 5V
10V
15V
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
30
50
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
I
D
RDS(ON) LIMIT
V = 10V
SINGLE PULSE
R = See Note 1b
T = 25°C
JA
1s
DC
100ms
100us
10ms
1ms
0.01
0.1
1
10
100
300
0
1
2
3
4
5
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =See note 1b
T = 25°C
A
JA
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = See Note 1b
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1b.Transient thermal
response will change depending on the circuit board design.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC654P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC655BN Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDC655AN Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDC6561AN Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDC6561 Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDC653N_F095 功能描述:MOSFET 30V 5A N-CH ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC653N-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDC653N 30 V 0.035 Ohm N-Ch Enhancement Mode Field Effect Transistor - SSOT-6
FDC654P 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC654P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDC654P_G 制造商:FAIRCHILD 功能描述:MOSFET, -30V/3.6A, SSOT6 (Halogen Free)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*