參數資料
型號： FDC6322C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual N & P Channel , Digital FET
中文描述： 220 mA, 25 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數： 7/7頁
文件大小： 96K
代理商： FDC6322C
FDC6322C.Rev B1
Typical Electrical Characteristics: P-Channel (continued)
Figure 18. Maximum Safe Operating Area.
Figure 17. Gate Charge Characteristics
.
Figure 20. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 19. Capacitance Characteristics
.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = See Note 1b
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
Figure 21. Transient Thermal Response Curve
.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1b.Transient thermal
response will change depending on the circuit board design.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
I = -0.25A
15V
V = 5V
10V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
15
25 35
0.01
0.03
0.1
0.3
1
2
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
RDSON LMT
A
DC
1s
100ms
10ms
1ms
V = -2.7V
SINGLE PULSE
R = See Note 1b
T = 25°C
JA
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
25
5
10
20
40
60
100
150
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
0.01
0.1
1
10
100
300
0
1
2
3
4
5
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =See note 1b
T = 25°C
A
JA
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