參數(shù)資料
型號(hào)： FDC6303N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Digital FET, Dual N-Channel
中文描述： 680 mA, 25 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 72K
代理商： FDC6303N
FDC6303N Rev.C
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical And Thermal Characteristics
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 0.5A
10V
15V
V = 5V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
40
0.01
0.03
0.1
0.3
1
5
V , DRAI N-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 4.5V
SINGLE PULSE
R = See note 1b
T = 25°C
GS
JA
DC
1s
10ms
100ms
RDSON LMT
1ms
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = See Note 1b
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1b.Transient thermal
response will change depending on the circuit board design.
0.1
0.5
1
2
5
10
25
5
10
20
50
100
150
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
0.01
0.1
1
10
100
300
0
1
2
3
4
5
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =See note 1b
T = 25°C
A
JA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC6304P RES 160-OHM 0.1% 0.125W 25PPM THIN-FILM SMD-0805 TR-7-PA ROHS
FDC6305 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC6305N Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC6306P Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
FDC6308P Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FDC6304P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
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