參數(shù)資料
型號(hào)： FDC608PZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 5.8 A, 20 V, 0.043 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 142K
代理商： FDC608PZ
FDC608PZ Rev B (W)
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
0
0.5
1.5
2
2.5
3
-V
DS
, D1
-
D
,
V
GS
= -4.5V
-3.0V
-2.0V
-2.5V
-3.5V
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
0
5
10
15
20
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.0V
-3.0V
-2.5V
-3.5V
-4.5V
-4.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
C)
R
D
,
I
D
= -5.8A
V
GS
= -4.5V
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0
2
4
6
8
10
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -2.9A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
5
10
15
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FDC610PZ 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V 4.9mA
FDC610PZ_G 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR
FDC6301 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel , Digital FET
FDC6301N 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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