| 型號(hào): | FDB6030L | 
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | 
| 元件分類: | JFETs | 
| 英文描述: | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | 
| 中文描述: | 52 A, 30 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | 
| 封裝: | TO-263AB, 3 PIN | 
| 文件頁數(shù): | 9/10頁 | 
| 文件大?。?/td> | 401K | 
| 代理商: | FDB6030L | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| FDB6035AL | N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET | 
| FDP6035AL | N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET | 
| FDB6035L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | 
| FDP6035L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | 
| FDB603AL | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| FDB6030L_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FDB6035AL | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FDB6035AL_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FDB6035L | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| FDB603AL | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |