參數(shù)資料
型號: FDB52N20TM
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V N-Channel MOSFET
中文描述: 52 A, 200 V, 0.049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝: LEAD FREE, D2PAK-3
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大小: 684K
代理商: FDB52N20TM
6
www.fairchildsemi.com
FDB52N20 Rev. A
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料
PDF描述
FDB5680 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDF5680 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDP5680 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDB5686 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FDB5680 功能描述:MOSFET USE 512-FDB20AN06A0 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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