參數(shù)資料
型號(hào)： FDB5686
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述： 60V的N溝道MOSFET的的PowerTrench⑩
文件頁(yè)數(shù)： 1/16頁(yè)
文件大小： 440K
代理商： FDB5686
FDP5680/FDB5680 Rev. C
July 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
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*+
°
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Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
FDP5680
FDB5680
Units
V
DSS
V
GSS
I
D
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Maximum Drain Current - Continuous
- Pulsed
Total Power Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
Operating and Storage Junction Temperature Range
60
±
20
40
120
65
0.43
V
V
A
W
P
D
W/
°
C
°
C
T
J
, T
STG
-65 to +175
Thermal Characteristics
R
θ
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
2.3
62.5
°
C/W
°
C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDB5680
FDP5680
Device
FDB5680
FDP5680
Reel Size
13
’’
Tube
Tape Width
24mm
N/A
Quantity
800
45
S
D
G
S
G
D
TO-220
FDP Series
D
G
S
TO-263AB
FDB Series
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDB5690 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
FDP5690 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
FDB5800 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDB6021P 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP6021P 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDB5800_F085 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB600 制造商:DEC 制造商全稱(chēng):DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS
FDB601 制造商:DEC 制造商全稱(chēng):DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS
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