參數(shù)資料
型號(hào): FDB12N50
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
中文描述: N溝道MOSFET的500V,11.5A,0.65ヘ
文件頁(yè)數(shù): 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 311K
代理商: FDB12N50
F
FDB12N50
TM
Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
5
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDB12N50TM N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
FDI12N50 N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
FDI12N50TU N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
FDB14AN06LA0 VARISTOR STD 60VRMS 3225 SMD
FDP14AN06LA0 12 AMP MINIATURE POWER RELAY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDB12N50F 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 11.5A, 0.7ヘ
FDB12N50F_12 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 11.5A, 0.7??
FDB12N50FTM 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDB12N50FTM_WS 功能描述:MOSFET 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB12N50TM 功能描述:MOSFET 500V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube