參數(shù)資料
型號： FDAF69N25
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V N-Channel MOSFET
中文描述： 34 A, 250 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 635K
代理商： FDAF69N25
6
www.fairchildsemi.com
FDAF69N25 Rev. A
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDAF75N28 280V N-Channel MOSFET
FDB035AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.5mз
FDB045AN08 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.5mз
FDB045AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.5mз
FDB050AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDAF75N28 功能描述:MOSFET 280V 46A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FD-AFM2 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:PHOLOELECTRIC SENSOR
FD-AFM2E 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:FIBER SENSORAREA REFLECTIVE 10.85MM 2 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:THRU-BEAM TYPE FIBER
FDA-GP 制造商:Hirose 功能描述:902-0011-3-00 EACH 制造商:Hirose 功能描述:FDA-GP
FDAL 246222 制造商:Signal Construct GmbH 功能描述:Bulk
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*