參數(shù)資料
型號： FDAF62N28
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 280V N-Channel MOSFET
中文描述： 36 A, 280 V, 0.051 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 727K
代理商： FDAF62N28
4
www.fairchildsemi.com
FDAF62N28 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250 μA
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 18 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
100 ms
DC
1 ms
10
μ
s
10 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
I
D
,
T
C
, Case Temperature [ ]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
Notes :
1. Z
θ
JC
(t) = 0.75
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
/W Max.
single pulse
D=0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
(
t
1
, Square Wave Pulse Duration [sec]
t
1
P
DM
t
2
相關PDF資料
PDF描述
FDAF69N25 250V N-Channel MOSFET
FDAF75N28 280V N-Channel MOSFET
FDB035AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.5mз
FDB045AN08 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.5mз
FDB045AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.5mз
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FD-AFM2 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:PHOLOELECTRIC SENSOR
FD-AFM2E 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:FIBER SENSORAREA REFLECTIVE 10.85MM 2 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:THRU-BEAM TYPE FIBER
FDA-GP 制造商:Hirose 功能描述:902-0011-3-00 EACH 制造商:Hirose 功能描述:FDA-GP
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