參數(shù)資料
型號： FDAF59N30
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 300V N-Channel MOSFET
中文描述： 34 A, 300 V, 0.056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 772K
代理商： FDAF59N30
5
www.fairchildsemi.com
FDAF59N30 Rev. A
F
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料
PDF描述
FDAF62N28 280V N-Channel MOSFET
FDAF69N25 250V N-Channel MOSFET
FDAF75N28 280V N-Channel MOSFET
FDB035AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.5mз
FDB045AN08 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.5mз
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FDAF62N28 功能描述:MOSFET 280V 36A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDAF69N25 功能描述:MOSFET 150V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDAF75N28 功能描述:MOSFET 280V 46A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FD-AFM2 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:PHOLOELECTRIC SENSOR
FD-AFM2E 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:FIBER SENSORAREA REFLECTIVE 10.85MM 2 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:THRU-BEAM TYPE FIBER
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*