參數(shù)資料
型號(hào): FDA79N15
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 150V N-Channel MOSFET
中文描述: 79 A, 150 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: TO-3P, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/8頁(yè)
文件大小: 852K
代理商: FDA79N15
3
www.fairchildsemi.com
FDA79N15 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
V
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
Notes :
1. 250μ s Pulse Test
2. T
C
= 25
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
12
10
0
10
1
10
2
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
1. V
= 40V
2. 250μ s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
25
50
75
I
D
, Drain Current [A]
100
125
150
175
200
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
R
D
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
0
10
1
10
2
150
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s Pulse Test
25
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Note ;
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 75V
V
DS
= 120V
V
DS
= 30V
Note : I
D
= 79A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDA8440 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDAF59N30 300V N-Channel MOSFET
FDAF62N28 280V N-Channel MOSFET
FDAF69N25 250V N-Channel MOSFET
FDAF75N28 280V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDA800001 功能描述:OSC 108MHZ 3.3V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)(輸出啟用) 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源(最大):60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) 高度:0.071"(1.80mm) 封裝/外殼:6-SMD,無(wú)引線(DFN,LCC) 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源(禁用)(最大):- 其它名稱:SER3790DKR
FDA800002 功能描述:OSC 108MHZ 1.8V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)(輸出啟用) 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源(最大):60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) 高度:0.071"(1.80mm) 封裝/外殼:6-SMD,無(wú)引線(DFN,LCC) 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源(禁用)(最大):- 其它名稱:SER3790DKR
FDA8440 功能描述:MOSFET 40V 100A 2.1mOhm N-Chan Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDA8440_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDA96N20 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: