參數(shù)資料
型號： FDA75N28
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 280V N-Channel MOSFET
中文描述： 75 A, 280 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 740K
代理商： FDA75N28
2
www.fairchildsemi.com
FDA75N28 Rev. A
F
Package Marking and Ordering Information
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
NOTES:
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 0.9mH, I
AS
= 75A, V
DD
= 50V, R
G
= 25
, Starting T
J
= 25
°
C
3. I
SD
≤
75A, di/dt
≤
200A/
μ
s, V
DD
≤
BV
DSS
, Starting T
J
= 25
°
C
4. Pulse Test: Pulse width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
5. Essentially Independent of Operating Temperature Typical Characteristics
Device Marking
Device
Package
Reel Size
Tape Width
Quantity
FDA75N28
FDA75N28
TO-3P
--
--
30
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV
DSS
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0V, I
D
= 250
μ
A
280
--
--
V
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
I
D
= 250
μ
A, Referenced to 25
°
C
--
0.28
--
V/
°
C
Zero Gate Voltage Drain Current
V
DS
= 280V, V
GS
= 0V
V
DS
= 224V, T
C
= 125
°
C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
--
--
--
--
1
10
μ
A
μ
A
I
GSSF
I
GSSR
On Characteristics
Gate-Body Leakage Current, Forward
--
--
100
nA
Gate-Body Leakage Current, Reverse
--
--
-100
nA
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
3.0
--
5.0
V
Static Drain-Source
On-Resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 37.5A
--
0.035
0.041
g
FS
Dynamic Characteristics
Forward Transconductance
V
DS
= 40V, I
D
= 37.5A
(Note 4)
--
75
--
S
C
iss
C
oss
C
rss
Switching Characteristics
Input Capacitance
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
f = 1.0MHz
--
5040
6700
pF
Output Capacitance
--
915
1215
pF
Reverse Transfer Capacitance
--
90
135
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-On Delay Time
V
DD
= 140V,I
D
= 75A
R
G
=25
(Note 4, 5)
--
105
146
ns
Turn-On Rise Time
--
580
538
ns
Turn-Off Delay Time
--
190
418
ns
Turn-Off Fall Time
--
310
262
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
V
DS
= 224V, I
D
= 75A
V
GS
= 10V
(Note 4, 5)
--
111
144
nC
Gate-Source Charge
--
31
--
nC
Gate-Drain Charge
--
49
--
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
--
--
75
A
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
300
A
Drain-Source Diode Forward Voltage
V
GS
= 0V, I
S
= 75A
V
GS
= 0V, I
S
= 75A
dI
F
/dt =100A/
μ
s
(Note 4)
--
--
1.4
V
Reverse Recovery Time
--
320
--
ns
Reverse Recovery Charge
--
3.5
--
μ
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDA79N15 150V N-Channel MOSFET
FDA8440 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDAF59N30 300V N-Channel MOSFET
FDAF62N28 280V N-Channel MOSFET
FDAF69N25 250V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDA79N15 功能描述:MOSFET 200V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDA800001 功能描述:OSC 108MHZ 3.3V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無引線（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱:SER3790DKR
FDA800002 功能描述:OSC 108MHZ 1.8V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無引線（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱:SER3790DKR
FDA8440 功能描述:MOSFET 40V 100A 2.1mOhm N-Chan Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDA8440_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
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