- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375763 > FD800R33KF2C-K (INFINEON TECHNOLOGIES AG) Technische Information / technical information PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FD800R33KF2C-K |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Technische Information / technical information |
| 中文描述： | 1300 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-9 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 263K |
| 代理商： | FD800R33KF2C-K |
3
Technische Information / technical information
FD800R33KF2C-K
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Jürgen Biermann
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 2003-6-13
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V￥
6,0
kV
Teilentladungs Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
RMS, f = 50 Hz, Q ù 10 pC (acc. to IEC 1287)
V￥
2,6
kV
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DC stability
TY = 25°C, 100 fit
V
1800
V
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
AlSiC
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlN
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
32,0
32,0
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
19,0
19,0
mm
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 400
min.
typ.
max.
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
eèùút = 1 W/(m·K) / etèùt = 1 W/(m·K)
Rúì
4,00
K/kW
Modulinduktivitt
stray inductance module
Lù
12
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T = 25°C, pro Zweig / per arm
Róó
Róó
0,19
0,34
m
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
TY èà
150
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
TY ó
-40
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tùú
-40
125
°C
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M6
M
4,25
-
5,75
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Schraube / screw M4
Schraube / screw M8
M
1,8
8,0
-
-
2,1
10
Nm
Nm
Gewicht
weight
G
1500
g
Modulinduktivitt: IGBT (Zweig 1+2 parallel): 12nH; Diode (Zweig 3): 25nH
stray inductance module: IGBT (arm 1+2 parallel): 12nH; diode (arm 3): 25nH
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FD800R33KF2 | IGBT-Module |
| FDA15N65 | 650V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50_07 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50_F109 | 500V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FD800R33KL2C-K_B5 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD807-03 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| FD8-10 | 功能描述:電源變壓器 100VA 10V CT @ 10A Dual Primary RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級電壓額定值:115 V / 230 V 次級電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in |
| FD8-12 | 功能描述:電源變壓器 100VA 12.6VCT @ 8.0A Dual Primary RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級電壓額定值:115 V / 230 V 次級電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in |
| FD8-120 | 功能描述:電源變壓器 100VA 120VCT @ 0.85A Dual Primary RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級電壓額定值:115 V / 230 V 次級電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。