參數(shù)資料
型號(hào)： FD800R33KF2C-K
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Technische Information / technical information
中文描述： 1300 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-9
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 263K
代理商： FD800R33KF2C-K
2
Technische Information / technical information
FD800R33KF2C-K
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Jürgen Biermann
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 2003-6-13
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Hchstzulssige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TY = 25°C
TY = -25°C
V￠
3300
3300
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
800
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t = 1 ms
I￠
1600
A
Grenzlastintegral
I2t - value
V = 0 V, t = 10 ms, TY = 125°C
I2t
220
kA2s
Spitzenverlustleistung
maximum power dissipation
TY = 125°C
P￠
1600
kW
Mindesteinschaltdauer
minimum turn-on time
tóò íò
10,0
μs
Charakteristische Werte / characteristic values
Durchlassspannung
forward voltage
min.
typ.
2,80
2,80
max.
3,50
3,50
I = 800 A, V = 0 V, TY = 25°C
I = 800 A, V = 0 V, TY = 125°C
V
V
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I = 800 A, - di/dt = 4500 A/μs
V = 1800 V, V = -15 V, TY = 25°C
V = 1800 V, V = -15 V, TY = 125°C
I￠
1100
1300
A
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I = 800 A, -di/dt = 4500 A/μs
V = 1800 V, V = -15 V, TY = 25°C
V = 1800 V, V = -15 V, TY = 125°C
Q
500
900
μC
μC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I = 800 A, -di/dt = 4500 A/μs
V = 1800 V, V = -15 V, TY = 25°C
V = 1800 V, V = -15 V, TY = 125°C
Etê
490
1150
mJ
mJ
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
Rúì
26,0 K/kW
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
eèùút = 1 W/(m·K) / etèùt = 1 W/(m·K)
Rúì
16,0
K/kW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FD800R33KF2 IGBT-Module
FDA15N65 650V N-Channel MOSFET
FDA16N50 500V N-Channel MOSFET
FDA16N50_07 500V N-Channel MOSFET
FDA16N50_F109 500V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FD800R33KL2C-K_B5 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD807-03 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE
FD8-10 功能描述:電源變壓器 100VA 10V CT @ 10A Dual Primary RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級(jí)電壓額定值:115 V / 230 V 次級(jí)電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長(zhǎng)度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in
FD8-12 功能描述:電源變壓器 100VA 12.6VCT @ 8.0A Dual Primary RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級(jí)電壓額定值:115 V / 230 V 次級(jí)電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長(zhǎng)度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in
FD8-120 功能描述:電源變壓器 100VA 120VCT @ 0.85A Dual Primary RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級(jí)電壓額定值:115 V / 230 V 次級(jí)電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長(zhǎng)度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in
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