參數(shù)資料
型號(hào): FCPF7N60
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 600V N-Channel MOSFET
中文描述: 7 A, 600 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 802K
代理商: FCPF7N60
5
www.fairchildsemi.com
FCP7N60 / FCPF7N60 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FCP7N60
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FCPF7N60
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
Notes :
1. Z
θ
JC
(t) = 1.5
°
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D=0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
J
(
t
1
, Square W ave Pulse Duration [sec]
t
1
P
DM
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
Notes :
1. Z
θ
JC
(t) 4.0
°
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D=0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
J
(
t
1
, Square W ave Pulse Duration [sec]
t
1
P
DM
t
2
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FCPF7N60NT 功能描述:MOSFET 600V N-Channel SupreMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FCPF7N60T 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SuperFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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FCPF9N60NT 功能描述:MOSFET SupreMOS 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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