參數(shù)資料
型號(hào)： FB20R06KL4
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 195K
代理商： FB20R06KL4
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB20R06KL4
Vorlufig
Preliminary
I
C
V
GE
[V]
I
F
V
F
[V]
Durchlakennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch)
I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of FWD Inverter (typical)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
5,00
6,00
7,00
8,00
9,00
10,00
11,00
12,00
Tj = 25°C
Tj = 125°C
übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch)
I
C
= f (V
GE
)
Transfer characteristic Inverter (typical)
V
CE
= 20 V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
3,00
Tj = 25°C
Tj = 125°C
6(11)
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FB20R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB20R06W1E3_B1 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 20A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB20R06W1E3ENG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
FB20R06XE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 27A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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