參數(shù)資料
型號： FB20R06KL4
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大小： 195K
代理商： FB20R06KL4
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB20R06KL4
Vorlufig
Preliminary
Schaltplan/ Circuit diagram
Gehuseabmessungen/ Package outlines
Bohrplan /
drilling layout
10(11)
相關PDF資料
PDF描述
FB3480 Analog IC
FB3490 Analog IC
FB3491 ASIC
FB3492 ASIC
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FB20R06KL4_B1 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB20R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB20R06W1E3_B1 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 20A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB20R06W1E3ENG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
FB20R06XE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 27A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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