參數(shù)資料
型號(hào)： FB20R06KL4
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 195K
代理商： FB20R06KL4
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB20R06KL4
Vorlufig
Preliminary
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to heatsink
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Paste
=1W/m*K
R
thJH
-
1,1
-
K/W
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
grease
=1W/m*K
-
1,8
-
K/W
Diode Wechsr./ Diode Inverter
-
3,7
-
K/W
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
R
thJC
-
-
1
K/W
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
-
-
1,6
K/W
Diode Wechsr./ Diode Inverter
-
-
2,7
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Paste
=1W/m*K
R
thCH
-
0,2
-
K/W
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
grease
=1W/m*K
-
0,4
-
K/W
Diode Wechsr./ Diode Inverter
-
1,3
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
CTI
comperative tracking index
225
Anprekraft f. mech. Befestigung pro Feder
mounting force per clamp
F
N
Gewicht
weight
Kontakt - Kühlkrper
terminal to heatsink
G
36
g
Kriechstrecke
creeping distance
13,5
mm
Luftstrecke
clearance
12
mm
Kriechstrecke
creeping distance
7,5
mm
Luftstrecke
clearance
7,5
mm
Terminal - Terminal
terminal to terminal
40...80
4(11)
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FB20R06W1E3_B1 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 20A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB20R06W1E3ENG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
FB20R06XE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 27A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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