參數(shù)資料
型號： FB10R06KL4G
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 191K
代理商： FB10R06KL4G
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB10R06KL4 G
Vorlufig
Preliminary
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
typ.
max.
Modulinduktivitt
stray inductance module
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
lead resistance, terminals-chip
L
CE
-
-
40
nH
T
C
= 25°C
R
CC'+EE'
-
14
-
m
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Durchlaspannung
forward voltage
min.
typ.
max.
V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C, I
F
= 10 A
V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C, I
F
= 10 A
I
F
=I
Nenn
, - di
F
/dt = 300 A/us
V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C, V
R
= 300 V
V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C, V
R
= 300 V
I
F
=I
Nenn
, - di
F
/dt = 600 A/us
V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C, V
R
= 300 V
V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C, V
R
= 300 V
I
F
=I
Nenn
, - di
F
/dt = 600 A/us
V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C, V
R
= 300 V
V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C, V
R
= 300 V
V
F
-
-
1,85
1,9
2,25
-
V
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
-
-
11
12
-
-
A
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
Q
r
-
-
0,4
0,8
-
-
μAs
μAs
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
E
rec
-
-
0,05
0,12
-
-
mWs
mWs
NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor
Nennwiderstand
Abweichung von R
100
deviation of R
100
min.
-
typ.
5
max.
-
T
C
= 25°C
R
25
k
T
C
= 100°C, R
100
= 493
R/R
-5
5
%
Verlustleistung
power dissipation
T
C
= 25°C
P
25
20
mW
B-Wert
B-value
R
2
= R
1
exp [B(1/T
2
- 1/T
1
)]
B
25/50
3375
K
3(11)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FB15R06KL4 IGBT Module
FB2012AA 80x86 Bus Arbiter
FB2012IAA 80x86 Bus Arbiter
FB2031BB-T 9-Bit Bus Transceiver
FB2031IBB 9-Bit Bus Transceiver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FB10R06KL4GB1 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Modules
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FB10R06VE3ENG 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB10R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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