參數(shù)資料
型號(hào): FB10R06KL4G
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù): 11/11頁(yè)
文件大?。?/td> 191K
代理商: FB10R06KL4G
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB10R06KL4 G
Gehuseabmessungen Forts. / Package outlines contd.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Diese gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
11(11)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FB15R06KL4 IGBT Module
FB2012AA 80x86 Bus Arbiter
FB2012IAA 80x86 Bus Arbiter
FB2031BB-T 9-Bit Bus Transceiver
FB2031IBB 9-Bit Bus Transceiver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FB10R06KL4G_B1 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB10R06KL4GB1 制造商:EUPEC 制造商全稱(chēng):EUPEC 功能描述:IGBT-Modules
FB10R06VE3 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 10A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB10R06VE3ENG 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB10R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: