| 型號: | FB15R06KL4 |
| 英文描述: | IGBT Module |
| 中文描述: | IGBT模塊 |
| 文件頁數: | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 193K |
| 代理商: | FB15R06KL4 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| FB2012AA | 80x86 Bus Arbiter |
| FB2012IAA | 80x86 Bus Arbiter |
| FB2031BB-T | 9-Bit Bus Transceiver |
| FB2031IBB | 9-Bit Bus Transceiver |
| FB2033BB-T | Single 8-Bit Inverting Bus Transceiver |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FB15R06KL4_B1 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 19A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FB15R06KL4B1 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:1GBT-Module |
| FB15R06VE3ENG | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FB15R06W1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FB15R06W1E3BOMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |