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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FA01219A |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | GaAs FET HYBRID IC |
| 中文描述： | 砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管混合集成電路 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 23K |
| 代理商： | FA01219A |
FA01219A
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET
GaAs FET HYBRID IC
Nov. ′97
TYPICAL CHARACTERISTICS 1
Frequency
(MHz)
925.0
941.5
958.0
Pin
(dBm)
5.78
6.05
6.52
Po
Id1
(mA)
93
90
91
Id2
(mA)
552
547
543
Idt
Ig1,2
(mA)
-1.86
-1.86
-1.86
-50k
(dBc)
-49.9
-51.7
-51.6
+50k
(dBc)
-49.2
-51.2
-51.6
-100k
(dBc)
-62.5
-63.6
-64.4
+100k
(dBc)
-62.6
-64.1
-64.6
2SP
(dBc)
-37.5
-37.4
-37.2
3SP
(dBc)
-49.2
-49.7
-50.2
RL
(dB)
-10.7
-9.4
-8.5
(dBm)
30.5
30.5
30.5
(mA)
644
637
634
P
O
,ACP vs Pin CHARACTERISTICS
Pin(dBm)
-5.0
5.0
15
35
10.0
20
25
10
30
0.0
f=925MHz
V
D1
=3.5V
V
D2
=3.5V
V
G
=-2.5V
P
O
,I
D
s vs Pin CHARACTERSTICS
Pin(dBm)
-5
0
5
10
10
-80
-70
-60
-40
-30
-50
15
20
25
30
35
1000
900
800
600
400
200
700
500
300
100
0
P
O
ACP+50k
ACP-50k
ACP+100k
ACP-100k
V
D1
=3.5V,V
D2
=3.5V,V
G
=-2.5V
P
O
I
Dt
I
D2
I
D1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| FA01312-01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Amplifier |
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| FA01314-01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
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