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參數(shù)資料
| 型號： | FA01215 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | GaAs FET HYBRID IC |
| 中文描述： | 砷化鎵場效應(yīng)管混合集成電路 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 15K |
| 代理商： | FA01215 |
FA01215
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET
GaAs FET HYBRID IC
Nov. ′97
EQUIVALENT CIRCUIT
1ST DRAIN
2ND DRAIN
RF OUTPUT
GND(FIN)
RF INPUT
1ST GATE
2ND GATE
MATCHING
CIRCUIT
MATCHING
CIRCUIT
MATCHING
CIRCUIT
TYPICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25C)
OUTPUT POWER, TOTAL EFFICIENCY
vs INPUT POWER
INPUT POWER P
in
(dBm)
-30 -25 -20
-10
-5
5
20
40
0
40
50
60
30
20
10
-15
35
30
25
15
10
0
-5
70
80
90
η
T
P
O
V
D
=3.0V
V
G
=-2.0V
f=902.5MHz
0
5
10
15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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