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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F49L160UA-90T |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 49/51頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 454K |
| 代理商： | F49L160UA-90T |
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ES MT
11. ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
F49L160UA/F49L160BA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Dec. 2006
Revision: 1.3 49/51
Table 19. Erase And Programming Performance (Note.1)
Limits
Parameter
Typ.(2)
Max.(3)
Unit
Sector Erase Time
0.7
15
Sec
Chip Erase Time
15
30
Sec
Byte Programming Time
9
300
Us
Word Programming Time
11
360
Us
Byte Mode
18
54
Sec
Chip Programming Time
Word Mode
12
36
Sec
Erase/Program Cycles (1)
100,000
Cycles
Data Retention
20
Years
Notes:
1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2.Typical values measured at 25°C, 3.3V.
3.Maximum values measured at 85°C, 2.7V.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F49L400BA | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L400BA-70T | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L400BA-90T | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L400UA | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L400UA-70T | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| F49L160UA-90TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
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| F49L320BA-70TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:32 Mbit (4M x 8/2M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
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