參數(shù)資料
型號： F49L160UA-90T
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
中文描述： 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 33/51頁
文件大小： 454K
代理商： F49L160UA-90T
ES MT
F49L160UA/F49L160BA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Dec. 2006
Revision: 1.3 33/51
Figure 11. Embedded Chip Erase Algorithm Flowchart
Start
Write Data AAH Address 555H
Embedded Chip Erease Completed
Data = FFh
Yes
No
Write Data 55H Address 2AAH
Write Data 80H Address 555H
Write Data AAH Address 555H
Write Data 55H Address 2AAH
Write Data 10H Address 555H
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
F49L400BA 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L400BA-70T 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L400BA-90T 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L400UA 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L400UA-70T 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
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參數(shù)描述
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F49L160UA-90TIG 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
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F49L320BA-70TG 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:32 Mbit (4M x 8/2M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
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