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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F49L160BA-70T |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 31/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 454K |
| 代理商： | F49L160BA-70T |
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ES MT
F49L160UA/F49L160BA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Dec. 2006
Revision: 1.3 31/51
Figure 9. CE Controlled Program Timing Waveform
Notes :
1. PA = Program Address, PD = Program Data, DOUT = Data Out , DQ7 = complement of data written to device
2. Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence..
Address
W E
CE
OE
55 5 f o r p r og r a m
2 A A f o r e r a s e
Data Polling
t
A S
t
W C
PA
Data
RESET
RY/BY
P A f or p r o g r a m
S A f o r s e c t o r e r a s e
55 5 f o r c h ip e r a s e
A0 f o r p r og r a m
55 f o r er a s e
P D f o r p r o g r a m
30 f o r s e c t o r e r a s e
10 f or c h ip e r a s e
t
W H
t
A H
t
DS
t
DH
t
G HE L
t
CP
t
CP H
t
B US Y
t
W S
DOU T
DQ7
t
W H W H 1 o r 2
t
RH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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