參數(shù)資料
型號： F1200D
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Fast Silicon Rectifiers
中文描述： 12 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 84K
代理商： F1200D
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschludrhte in 10 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
1
6
±
7
±
±0.1
8
±0.05
1.2
Type
F1200A, F1200D
Fast Silicon Rectifiers
Schnelle Silizium Gleichrichter
Version 2004-04-06
Nominal current – Nennstrom
12 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50V, 200 V
Plastic case
Kunststoffgehuse
8 x 7.5 [mm]
P-600 Style
Weight approx. – Gewicht ca.
1.5 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
200
Surge peak reverse voltage
Stospitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
200
F1200A
F1200D
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T
A
= 50°C
I
FAV
12 A
1
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
I
FRM
80 A
1
)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stostrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25°C
I
FSM
375 A
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stostrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25°C
I
FSM
390 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
T
A
= 25°C
i
2
t
680 A
2
s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
– 50…+150°C
– 50…+175°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
F1200B Superfast Silicon-Rectifiers
F1200G Superfast Silicon-Rectifiers
F1206 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1207 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1208 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
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參數(shù)描述
F1200DD20 功能描述:FILTER POWER LINE EMI 20A SCREW RoHS:是 類別:濾波器 >> 線路濾波器 系列:F1200 RoHS指令信息:RoHS Material 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:RSEN 濾波器類型:電源線 電壓 - 額定:250V 電流:150A 電感:- 安裝類型:底座安裝 端接類型:端接塊 其它名稱:RSEN2150
F1200DD30 功能描述:FILTER POWER LINE EMI 30A SCREW RoHS:是 類別:濾波器 >> 線路濾波器 系列:F1200 RoHS指令信息:RoHS Material 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:RSEN 濾波器類型:電源線 電壓 - 額定:250V 電流:150A 電感:- 安裝類型:底座安裝 端接類型:端接塊 其它名稱:RSEN2150
F1200G 制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:Superfast Silicon-Rectifiers
F1200NBGI 功能描述:運算放大器 - 運放 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
F1200NBGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:Variable Gain Amplifier 28-Pin VFQFPN T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:INTERMEDIATE FREQUENCY DIGITAL VARIABLE GAIN AMPLIFIER 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:LOW IF 0.35UM SIGE BASE ARRAY - Tape and Reel
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