參數(shù)資料
型號： F1200B
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Superfast Silicon-Rectifiers
中文描述： 12 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： F1200B
F1200A ... F1200G
F1200A ... F1200G
Superfast Silicon-Rectifiers
Superschnelle Silizium-Gleichrichter
Version 2007-05-09
Dimensions - Mae [mm]
Nominal Current
Nennstrom
12 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...400 V
Plastic case
Kunststoffgehuse
8 x 7.5 [mm]
P600 Style
Weight approx.
Gewicht ca.
1.3 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stospitzensperrspannung
V
RSM
[V]
F1200A
50
50
F1200B
100
100
F1200D
200
200
F1200G
400
400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T
A
= 50°C
I
FAV
12 A
1
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
I
FRM
80 A
1
)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stostrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25°C
I
FSM
375/390 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
T
A
= 25°C
i
2
t
680 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
at reduced reverse voltage
bei reduzierter Sperrspannung
V
R
≤ 80% V
RRM
V
R
≤ 20% V
RRM
T
j
T
j
-50...+150°C
-50...+200°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
S
-50...+175°C
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrhte in 10 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
Type
±0.05
1.2
±0.1
8
7
6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
F1200G Superfast Silicon-Rectifiers
F1206 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1207 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1208 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1209 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
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參數(shù)描述
F1200BB01 功能描述:FILTER POWER LINE EMI 1A WIRE RoHS:是 類別:濾波器 >> 線路濾波器 系列:F1200 RoHS指令信息:RoHS Material 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:RSEN 濾波器類型:電源線 電壓 - 額定:250V 電流:150A 電感:- 安裝類型:底座安裝 端接類型:端接塊 其它名稱:RSEN2150
F1200BB03 功能描述:FILTER POWER LINE EMI 3A WIRE RoHS:是 類別:濾波器 >> 線路濾波器 系列:F1200 RoHS指令信息:RoHS Material 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:RSEN 濾波器類型:電源線 電壓 - 額定:250V 電流:150A 電感:- 安裝類型:底座安裝 端接類型:端接塊 其它名稱:RSEN2150
F1200BB06 功能描述:FILTER POWER LINE EMI 6A WIRE RoHS:是 類別:濾波器 >> 線路濾波器 系列:F1200 RoHS指令信息:RoHS Material 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:RSEN 濾波器類型:電源線 電壓 - 額定:250V 電流:150A 電感:- 安裝類型:底座安裝 端接類型:端接塊 其它名稱:RSEN2150
F1200BB10 功能描述:FILTER POWER LINE EMI 10A WIRE RoHS:是 類別:濾波器 >> 線路濾波器 系列:F1200 RoHS指令信息:RoHS Material 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:RSEN 濾波器類型:電源線 電壓 - 額定:250V 電流:150A 電感:- 安裝類型:底座安裝 端接類型:端接塊 其它名稱:RSEN2150
F1200CA03 功能描述:FILTER POWER ENTRY 3A IEC RoHS:是 類別:濾波器 >> 電源輸入 - 模塊 系列:F1200 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:5707 Power Entry Module 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:5707 保險絲盒:包括在內(nèi) 安裝類型:面板安裝，螺孔 濾波器類型:通用型 特點:防塵，保險絲盒，屏蔽，防水 電壓:125/250VAC 電流:1A 端接類型:快速連接 類型:IEC 320-C14（公引腳） 其它名稱:486-1263
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