參數(shù)資料
型號(hào): F1120
廠商: Polyfet RF Devices
英文描述: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
中文描述: 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁(yè)數(shù): 2/2頁(yè)
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代理商: F1120
F1120 POUT VS PIN F=175
MHZ; IDQ=2.0A; VDS=28.0V
0
50
100
150
200
250
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
PIN IN WATTS
10.00
11.00
12.00
13.00
14.00
15.00
16.00
17.00
18.00
POUT
GAIN
Efficiency = 75%
POUT VS PIN GRAPH
F1120
F1J 5 DICE CAPACITANCE
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
VDS IN VOLTS
Coss
Ciss
Crss
F1J 5 DICE IV
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VDSINVOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
Vg=6v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
F1J 5 DICE ID & GM Vs VG
0.10
1.00
10.00
100.00
0
2
4
6
8
10
12
Vgs in Volts
I
Id
gM
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION 1/12/98
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PDF描述
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F1174 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
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F1200D Fast Silicon Rectifiers
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