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參數(shù)資料
| 型號： | EDS6416AHBH |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 64M bits SDRAM (4M words x 16 bits) |
| 中文描述： | 6400位的SDRAM（4分字× 16位） |
| 文件頁數(shù)： | 9/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 716K |
| 代理商： | EDS6416AHBH |
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EDS6416AHBH, EDS6416CHBH
Data Sheet E0442E40 (Ver. 4.0)
9
Relationship Between Frequency and Minimum Latency
Parameter
-6B
-75
Frequency (MHz)
166
100
133
100
tCK (ns)
Symbol 6
10
7.5
10
Unit
Notes
Active command to column command
(same bank)
Active command to active command
(same bank)
Active command to precharge command
(same bank)
Precharge command to active command
(same bank)
Write recovery or data-in to precharge
command (same bank)
Active command to active command
(different bank)
l
RCD
3
2
3
2
tCK
1
l
RC
10
7
9
7
tCK
1
l
RAS
7
5
6
5
tCK
1
l
RP
3
2
3
2
tCK
1
l
DPL
2
2
2
2
tCK
1
l
RRD
2
2
2
2
tCK
1
Self refresh exit time
l
SREX
1
1
1
1
tCK
2
Last data in to active command
(Auto precharge, same bank)
l
DAL
5
4
5
4
tCK
= [
l
DPL +
l
RP]
Self refresh exit to command input
l
SEC
10
7
9
7
tCK
= [
l
RC]
3
Precharge command to high impedance
(CL = 2)
l
HZP
2
2
tCK
(CL = 3)
l
HZP
3
3
3
3
tCK
Last data out to active command
(Auto precharge, same bank)
Last data out to precharge (early precharge)
(CL = 2)
l
APR
1
1
1
1
tCK
l
EP
–1
–1
tCK
(CL = 3)
l
EP
–2
–2
–2
–2
tCK
Column command to column command
l
CCD
1
1
1
1
tCK
Write command to data in latency
l
WCD
0
0
0
0
tCK
DQM to data in
l
DID
0
0
0
0
tCK
DQM to data out
l
DOD
2
2
2
2
tCK
CKE to CLK disable
l
CLE
1
1
1
1
tCK
Register set to active command
l
MRD
2
2
2
2
tCK
/CS to command disable
l
CDD
0
0
0
0
tCK
Power down exit to command input
l
PEC
1
1
1
1
tCK
Notes: 1.
l
RCD to
l
RRD are recommended value.
2. Be valid [DESL] or [NOP] at next command of self refresh exit.
3. Except [DESL] and [NOP]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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